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中微半导体过会!曾被美国多次打击依然屹立不倒
作者: 发布日期:2019-07-11
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近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司成功过会,获得发行上市资格。中微公司成立于2004年,聚焦集成电路领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和LED芯片领域用薄膜沉积(MOCVD)设备等关键设备的研发、生产和销售,是我国集成电路设备行业的领先企业。

成长之路的艰辛与曲折

中微能有今天的成就,离不开尹志尧十多年的探索和付出。本科毕业于中科大的尹志尧,在拿下北京大学化学系硕士学位之后赴美留学,在加利福尼亚大学___分校拿到了物理化学博士学位后,尹志尧进入了美国硅谷工作,先后在因特尔公司、泛林半导体公司、应用材料公司等工作了16余年。

2004年,尹志尧回国创业,创办中微半导体。随后,尹志尧此前就职过的应用材料公司认为其有窃密之嫌,就将中微半导体告上了美国法庭,但应用材料公司没有找到相应的证据,这场官司最终得到和解。

2009年,泛林半导体又状告中微半导体专利侵权,纠缠了四年之久,事件出现了大反转,中微半导体拿出了泛林半导体窃取机密的证据,反告泛林半导体,并取得了胜利。

经历两次失败之后,美国并没有就此罢手,又企图从供应链上来遏制中微半导体的发展。2017年,美国一家LED设备厂商Veeco状告中微半导体的MOVCD石墨托盘供应商侵犯了其专利,要求其停止对中微半导体供货,在这一次的博弈当中,也以Veeco妥协而告终。

面对美国三番两次的打击,中微公司并没有因此而停滞发展的脚步,相反,中微公司在刻蚀设备和薄膜沉积设备领域取得突破性进展,并且一发不可收拾。

打破国外垄断,跻身世界半导体厂商前列

刻蚀设备和薄膜沉积设备是晶圆制造十分重要的设备,此前一直被西方发达国家所垄断,有一段时间还被作为出口管制产品。中微公司打破了这种受制于人的情况,研制出国内第一台电介质刻蚀机,是我国集成电路设备行业的领先企业。

中微公司十多年来一直深耕芯片制造刻蚀领域,其生产的刻蚀设备和MOCVD(有机金属化学气相沉积法)设备代表我国刻蚀和薄膜沉积设备最高技术水平:

2007年推出双反应台Primo D-RIE,适用于65-16纳米工艺节点;

2010年成功开发电感等离子体深硅刻蚀设备Primo TSV,采用双腔设计,支持12英寸和8英寸无缝切换;

2011年推出双反应台Primo AD-RIE,适用于45-7纳米工艺节点;

2013年推出单反应台Primo SSC AD-RIE,适用于45-7纳米工艺节点;并满足16 纳米以下 2D 闪存芯片制造;

2016年首台ICP刻蚀设备产品Primo nanova研制成功;

2017年推出Primo AD-RIE-e,适用于7纳米工艺节点。

去年12月,中微公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机正式通过台积电验证,将用于全球首条5纳米制程生产线,预计将在2020年实现量产。

如今,中微与泛林、应用材料、东京电子、日立4家美日企业一起,成为全球最先进芯片生产线供应刻蚀机企业。

薄膜沉积设备(MOCVD)是一种高端薄膜沉积设备,主要用于蓝绿光LED和功率器件等生产加工,是LED器件加工中最关键的设备。

中微公司于2010 年开始开发MOCVD设备,2012年首台MOCVD设备Prismo D-Blue研制成功、2017年推出第二代设备Prismo A7,目前正在开发第三代更大尺寸设备。

此前,国内市场一直被美国维科(Veeco)和德国爱思强(Aixtron)两家供应商长期垄断,花了短短9年的时间,中微从几乎为零的国内市场占有率到实现超过70%的市场占有率,一举打破长期以来受制于人的局面。

不断突破自我,实力更加强大

纵观中微的发展历程,可以说是充满了曲折与艰辛,但是这些磨难没有阻止中微飞速前进的步伐,反而激励中微不断进行突破,变得更加强大。

到目前,中微凭借自身的实力,拥有一大批客户,刻蚀设备的主要客户有台积电、中芯国际、联电、SK海力士、长江存储、意法半导体等,薄膜沉积设备主要客户包括三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电。

目前,全球集成电路产业正在向中国转移,中国也越来越重视集成电路的发展,将其视作国家战略并出台了一系列的优惠政策,如今科创板过会,中微公司将获得等多资金来投入研发,在此大好机遇下,中微有望成为一个国际一流的半导体装备制造企业。



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